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LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀$n是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

CV-2000型電容電壓特性測(cè)試儀$n作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀$n在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測(cè)試手段，通過C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。

RTS-11型金屬四探針測(cè)試儀$n于測(cè)試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻$n測(cè)量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；$n是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備，該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試金屬材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析